Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5619GP-E3/54
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2970699Obraz 1N5619GP-E3/54.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5619GP-E3/54

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.41
10+
$0.33
100+
$0.225
500+
$0.169
1000+
$0.127
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5619GP-E3/54
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.2V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-204AC (DO-15)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    SUPERECTIFIER®
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    250ns
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Inne nazwy
    1N5619GP-E3/54GICT
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    48 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    1N5619
1N5619

1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5620C.TR

1N5620C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5617GP-E3/54

1N5617GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5619GP-E3/73

1N5619GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5618US

1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5618GPHE3/54

1N5618GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5617GP-E3/73

1N5617GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5620

1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5621GP-E3/54

1N5621GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5620US

1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5617US

1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5617C.TR

1N5617C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5619GPHE3/54

1N5619GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5619US

1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5620GPHE3/54

1N5620GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5621

1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5620GPHE3/73

1N5620GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5618

1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść