Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5617
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
899891Obraz 1N5617.Microsemi

1N5617

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.26
10+
$6.484
100+
$5.317
500+
$4.305
1000+
$3.631
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5617
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    35pF @ 12V, 1MHz
1N5616US

1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5615US

1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5618US

1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5615GP-E3/54

1N5615GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5618

1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5614US

1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5617GP-E3/73

1N5617GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5615

1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5616

1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5614GPHE3/54

1N5614GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5615GP-E3/73

1N5615GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5616C.TR

1N5616C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5615GPHE3/54

1N5615GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5617GP-E3/54

1N5617GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5618GPHE3/54

1N5618GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5617C.TR

1N5617C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5617US

1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5619

1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść