Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > 1N5556
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6726544

1N5556

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$22.18
10+
$20.16
25+
$18.648
100+
$17.136
250+
$15.624
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5556
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    40.3V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    63.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    43.7V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-13
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-13
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    24A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose
1N5553US

1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5557

1N5557

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5554US

1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5614

1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5610

1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5554US

1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5554

1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5554

1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5614GPHE3/54

1N5614GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5553

1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5614GP-E3/73

1N5614GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5614US

1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5553US

1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 5A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5554C.TR

1N5554C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5553C.TR

1N5553C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5614GP-E3/54

1N5614GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5558

1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5555

1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5613

1N5613

Opis: TVS DIODE C-BODY

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5611

1N5611

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść