Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5554US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3866103Obraz 1N5554US.Microsemi

1N5554US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$12.71
10+
$11.55
100+
$9.818
500+
$8.374
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5554US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.2V @ 9A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -
1N5553US

1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 5A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5552US

1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5556

1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5614GP-E3/54

1N5614GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5554

1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5553C.TR

1N5553C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5610

1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5554C.TR

1N5554C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5554

1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5614GP-E3/73

1N5614GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5554US

1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5553

1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5553

1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5614

1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5557

1N5557

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5613

1N5613

Opis: TVS DIODE C-BODY

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5555

1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5558

1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5553US

1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5611

1N5611

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść