Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT47H256M4B7-5E:A TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2935501Obraz MT47H256M4B7-5E:A TR.Micron Technology

MT47H256M4B7-5E:A TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$70.403
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT47H256M4B7-5E:A TR
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MT47H256M4B7-5E:A TR.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    92-FBGA (11x19)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    92-VFBGA
  • Inne nazwy
    MT47H256M4B7-5E:A TR-ND
    MT47H256M4B7-5E:ATR
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (256M x 4)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 200MHz 600ps 92-FBGA (11x19)
  • Częstotliwość zegara
    200MHz
  • Podstawowy numer części
    MT47H256M4
  • Czas dostępu
    600ps

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT47H256M4B7-5E:A TR”.
MT47H256M4B7-37E:A TR

MT47H256M4B7-37E:A TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H16M16BG-5E:B

MT47H16M16BG-5E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4CF-25:H

MT47H256M4CF-25:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H16M16BG-5E:B TR

MT47H16M16BG-5E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4CF-3 IT:H

MT47H256M4CF-3 IT:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4BT-5E:A

MT47H256M4BT-5E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H16M16BG-3E:B

MT47H16M16BG-3E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H1G4WTR-25E:C

MT47H1G4WTR-25E:C

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4BT-3:A

MT47H256M4BT-3:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H1G4WTR-25E:C TR

MT47H1G4WTR-25E:C TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H16M16BG-3:B TR

MT47H16M16BG-3:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4B7-37E:A

MT47H256M4B7-37E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4B7-5E:A

MT47H256M4B7-5E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4CF-3:H TR

MT47H256M4CF-3:H TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4CF-25E:H

MT47H256M4CF-25E:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4HQ-187E:E TR

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H256M4BT-37E:A

MT47H256M4BT-37E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H16M16BG-37V:B

MT47H16M16BG-37V:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.