Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT47H256M4BT-5E:A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3611861Obraz MT47H256M4BT-5E:A.Micron Technology

MT47H256M4BT-5E:A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$49.795
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT47H256M4BT-5E:A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    92-FBGA (11x19)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    92-VFBGA
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (256M x 4)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 200MHz 600ps 92-FBGA (11x19)
  • Częstotliwość zegara
    200MHz
  • Podstawowy numer części
    MT47H256M4
  • Czas dostępu
    600ps
MT47H256M4B7-37E:A

MT47H256M4B7-37E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H16M16BG-5E:B TR

MT47H16M16BG-5E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4CF-25:H

MT47H256M4CF-25:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4CF-3:H TR

MT47H256M4CF-3:H TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4SH-25E:M

MT47H256M4SH-25E:M

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4CF-25E:H

MT47H256M4CF-25E:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4HQ-187E:E TR

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H16M16BG-5E:B

MT47H16M16BG-5E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4CF-3 IT:H

MT47H256M4CF-3 IT:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4B7-5E:A TR

MT47H256M4B7-5E:A TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4B7-5E:A

MT47H256M4B7-5E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H1G4WTR-25E:C

MT47H1G4WTR-25E:C

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4BT-3:A

MT47H256M4BT-3:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4B7-37E:A TR

MT47H256M4B7-37E:A TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M4BT-37E:A

MT47H256M4BT-37E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H1G4WTR-25E:C TR

MT47H1G4WTR-25E:C TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść