Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > MT47H128M4B6-25E:D TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5707799Obraz MT47H128M4B6-25E:D TR.Micron Technology

MT47H128M4B6-25E:D TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$15.612
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT47H128M4B6-25E:D TR
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MT47H128M4B6-25E:D TR.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    60-FBGA
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    60-FBGA
  • Inne nazwy
    MT47H128M4B6-25E:D TR-ND
    MT47H128M4B6-25E:DTR
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (128M x 4)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
  • Częstotliwość zegara
    400MHz
  • Podstawowy numer części
    MT47H128M4
  • Czas dostępu
    400ps

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT47H128M4B6-25E:D TR”.
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C

MT47H128M16RT-25E AIT:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.