Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT47H128M4CB-3:B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
530876Obraz MT47H128M4CB-3:B.Micron Technology

MT47H128M4CB-3:B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$14.994
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT47H128M4CB-3:B
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MT47H128M4CB-3:B.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    60-FBGA
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    60-FBGA
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (128M x 4)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA
  • Częstotliwość zegara
    333MHz
  • Podstawowy numer części
    MT47H128M4
  • Czas dostępu
    450ps

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT47H128M4CB-3:B”.
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4SH-25E:H TR

MT47H128M4SH-25E:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M8B7-37E L:A TR

MT47H128M8B7-37E L:A TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M8B7-37E L:A

MT47H128M8B7-37E L:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4SH-25E:H

MT47H128M4SH-25E:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CF-25E:G TR

MT47H128M4CF-25E:G TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.