Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SH8J31GZETB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1918223

SH8J31GZETB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.794
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SH8J31GZETB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SH8J31GZETB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    70 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Moc - Max
    2W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SH8J31GZETBTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2500pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    -
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.5A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SH8J31GZETB”.
SH8M14TB1

SH8M14TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8J62TB1

SH8J62TB1

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K15TB1

SH8K15TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K41GZETB

SH8K41GZETB

Opis: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M24TB1

SH8M24TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K22TB1

SH8K22TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K12TB1

SH8K12TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8J65TB1

SH8J65TB1

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K4TB1

SH8K4TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K32TB1

SH8K32TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M12TB1

SH8M12TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8KA2GZETB

SH8KA2GZETB

Opis: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8J66TB1

SH8J66TB1

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8KA4TB

SH8KA4TB

Opis: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M13GZETB

SH8M13GZETB

Opis: MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M11TB1

SH8M11TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K5TB1

SH8K5TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K2TB1

SH8K2TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K3TB1

SH8K3TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K1TB1

SH8K1TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.