Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SH8M13GZETB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6253679

SH8M13GZETB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.441
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SH8M13GZETB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SH8M13GZETB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    29 mOhm @ 7A, 10V
  • Moc - Max
    2W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SH8M13GZETBTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A, 7A

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SH8M13GZETB”.
SH8M41TB1

SH8M41TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8KA4TB

SH8KA4TB

Opis: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M3TB1

SH8M3TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K41GZETB

SH8K41GZETB

Opis: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K2TB1

SH8K2TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M70TB1

SH8M70TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M12TB1

SH8M12TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M14TB1

SH8M14TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M11TB1

SH8M11TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M5TB1

SH8M5TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K32TB1

SH8K32TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M24TB1

SH8M24TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K4TB1

SH8K4TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K22TB1

SH8K22TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K5TB1

SH8K5TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8KA2GZETB

SH8KA2GZETB

Opis: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M2TB1

SH8M2TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M41GZETB

SH8M41GZETB

Opis: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8M4TB1

SH8M4TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SH8K3TB1

SH8K3TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.