Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SCT2750NYTB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
963690Obraz SCT2750NYTB.LAPIS Semiconductor

SCT2750NYTB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.73
10+
$6.90
25+
$6.21
100+
$5.658
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SCT2750NYTB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    1700V .75 OHM 6A SIC FET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.SCT2750NYTB.pdf
    2.SCT2750NYTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 630µA
  • Vgs (maks.)
    +22V, -6V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    975 mOhm @ 1.7A, 18V
  • Strata mocy (max)
    57W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Inne nazwy
    SCT2750NYTBCT
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    275pF @ 800V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17nC @ 18V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1700V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.9A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SCT2750NYTB”.
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11

Opis: MOSFET NCH 650V 70A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3060ALGC11

SCT3060ALGC11

Opis: MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2120AFC

SCT2120AFC

Opis: MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2/0-2/0

SCT2/0-2/0

Opis: CONN T-SPLICE TAP 2/0 AWG CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11

Opis: MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2280KEC

SCT2280KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT250-250

SCT250-250

Opis: CONN T-SPLICE TAP 250 MCM CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
SCT2H12NZGC11

SCT2H12NZGC11

Opis: MOSFET N-CH 1700V 3.7A

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11

Opis: MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3040KLGC11

SCT3040KLGC11

Opis: MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2160KEC

SCT2160KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT120P030512

SCT120P030512

Opis: 3.3V8.0A 5V10A 12V2A

Producenci: TDK-Lambda Americas, Inc.
Na stanie
RFQ
SCT3022ALGC11

SCT3022ALGC11

Opis: MOSFET NCH 650V 93A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2080KEC

SCT2080KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

Opis: 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3080ALGC11

SCT3080ALGC11

Opis: MOSFET N-CH 650V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT20N120

SCT20N120

Opis: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SCT2-2

SCT2-2

Opis: CONN T-SPLICE TAP 2 AWG CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
SCT2450KEC

SCT2450KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT300-300

SCT300-300

Opis: CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.