Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SCT2H12NZGC11
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3254150Obraz SCT2H12NZGC11.LAPIS Semiconductor

SCT2H12NZGC11

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.19
10+
$6.469
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SCT2H12NZGC11
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1700V 3.7A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.SCT2H12NZGC11.pdf
    2.SCT2H12NZGC11.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 900µA
  • Vgs (maks.)
    +22V, -6V
  • Technologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3PFM
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
  • Strata mocy (max)
    35W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3PFM, SC-93-3
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    184pF @ 800V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14nC @ 18V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1700V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SCT2H12NZGC11”.
SCT250-250

SCT250-250

Opis: CONN T-SPLICE TAP 250 MCM CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

Opis: 1700V .75 OHM 6A SIC FET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2080KEC

SCT2080KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3060ALGC11

SCT3060ALGC11

Opis: MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3080ALGC11

SCT3080ALGC11

Opis: MOSFET N-CH 650V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2/0-2/0

SCT2/0-2/0

Opis: CONN T-SPLICE TAP 2/0 AWG CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
SCT30N120

SCT30N120

Opis: MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SCT3022ALGC11

SCT3022ALGC11

Opis: MOSFET NCH 650V 93A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT20N120

SCT20N120

Opis: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SCT3040KLGC11

SCT3040KLGC11

Opis: MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3120ALGC11

SCT3120ALGC11

Opis: MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11

Opis: MOSFET NCH 650V 70A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11

Opis: MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2120AFC

SCT2120AFC

Opis: MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2450KEC

SCT2450KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2280KEC

SCT2280KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11

Opis: MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2160KEC

SCT2160KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT300-300

SCT300-300

Opis: CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

Opis: 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.