Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RUC002N05T116
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
529408Obraz RUC002N05T116.LAPIS Semiconductor

RUC002N05T116

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.33
10+
$0.296
100+
$0.166
500+
$0.089
1000+
$0.06
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RUC002N05T116
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RUC002N05T116.pdf
    2.RUC002N05T116.pdf
    3.RUC002N05T116.pdf
    4.RUC002N05T116.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SST3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    RUC002N05T116DKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RUC002N05T116”.
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
CPH6347-TL-H

CPH6347-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A CPH6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RUC002N05HZGT116

RUC002N05HZGT116

Opis: 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
AON6554

AON6554

Opis: MOSFET N CH 30V 36A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
RUC0D331MLG

RUC0D331MLG

Opis: CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
IRFU214

IRFU214

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FCB260N65S3

FCB260N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS8350L

FDMS8350L

Opis: MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDFMA3N109

FDFMA3N109

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCH2080KEC

SCH2080KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
CSD16412Q5A

CSD16412Q5A

Opis: MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
RUC0D271MLG

RUC0D271MLG

Opis: CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
FDD3860

FDD3860

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOD520

AOD520

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IXFR180N06

IXFR180N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
CSD17578Q5AT

CSD17578Q5AT

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
IRF6637TR1PBF

IRF6637TR1PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP2NK60Z

STP2NK60Z

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SSM3K01T(TE85L,F)

SSM3K01T(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AOTF474

AOTF474

Opis: MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.