Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RUC002N05HZGT116
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6925394Obraz RUC002N05HZGT116.LAPIS Semiconductor

RUC002N05HZGT116

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.24
10+
$0.222
100+
$0.124
500+
$0.067
1000+
$0.045
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RUC002N05HZGT116
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    1.2V DRIVE NCH MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RUC002N05HZGT116.pdf
    2.RUC002N05HZGT116.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SST3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Strata mocy (max)
    350mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    RUC002N05HZGT116DKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RUC002N05HZGT116”.
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RUC0D331MLG

RUC0D331MLG

Opis: CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PSMN4R0-60YS,115

PSMN4R0-60YS,115

Opis: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IRF7425PBF

IRF7425PBF

Opis: MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RUC002N05T116

RUC002N05T116

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF3704STRR

IRF3704STRR

Opis: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13

Opis: MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SSM6J216FE,LF

SSM6J216FE,LF

Opis: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IXTQ140N10P

IXTQ140N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
STH265N6F6-6AG

STH265N6F6-6AG

Opis: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRFIBC30G

IRFIBC30G

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RUC0D271MLG

RUC0D271MLG

Opis: CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
NTTFS4985NFTAG

NTTFS4985NFTAG

Opis: MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPA80R360P7XKSA1

IPA80R360P7XKSA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

Opis: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BUK763R4-30B,118

BUK763R4-30B,118

Opis: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
APT5012JN

APT5012JN

Opis: MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
TPH3206LD

TPH3206LD

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Producenci: Transphorm
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.