Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RU1E002SPTCL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3992878Obraz RU1E002SPTCL.LAPIS Semiconductor

RU1E002SPTCL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.058
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RU1E002SPTCL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RU1E002SPTCL.pdf
    2.RU1E002SPTCL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3F
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-85
  • Inne nazwy
    RU1E002SPTCLTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    30pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RU1E002SPTCL”.
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Opis: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Opis: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Opis: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Opis: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Opis: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Opis: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Opis: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Opis: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Opis: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Opis: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Opis: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Opis: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Opis: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Opis: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Opis: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.