Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RU1C001UNTCL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1127940Obraz RU1C001UNTCL.LAPIS Semiconductor

RU1C001UNTCL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.066
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RU1C001UNTCL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RU1C001UNTCL.pdf
    2.RU1C001UNTCL.pdf
    3.RU1C001UNTCL.pdf
    4.RU1C001UNTCL.pdf
    5.RU1C001UNTCL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3F
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    150mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-85
  • Inne nazwy
    RU1C001UNTCL-ND
    RU1C001UNTCLTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RU1C001UNTCL”.
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Opis: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Opis: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Opis: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Opis: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Opis: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Opis: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Opis: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Opis: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Opis: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Opis: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Opis: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Opis: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Opis: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Opis: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Opis: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.