Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RSQ015P10TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5247835Obraz RSQ015P10TR.LAPIS Semiconductor

RSQ015P10TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.359
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RSQ015P10TR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RSQ015P10TR.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSMT6 (SC-95)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    470 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    600mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    RSQ015P10MGTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    950pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 100V 1.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RSQ015P10TR”.
SPU04N60S5BKMA1

SPU04N60S5BKMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RSQ035N03TR

RSQ035N03TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

Opis: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IRLR3410TRR

IRLR3410TRR

Opis: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF9Z10PBF

IRF9Z10PBF

Opis: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RSQ030P03TR

RSQ030P03TR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
STW47NM60ND

STW47NM60ND

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
ZVN0545ASTOB

ZVN0545ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RSQ035P03TR

RSQ035P03TR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RSQ015N06TR

RSQ015N06TR

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTD60N02RT4

NTD60N02RT4

Opis: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFB7446PBF

IRFB7446PBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STD3NM60-1

STD3NM60-1

Opis: MOSFET N-CH 600V 3A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
TK560A65Y,S4X

TK560A65Y,S4X

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RSQ045N03TR

RSQ045N03TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSQ200

RSQ200

Opis: RESISTOR KIT 1-10M 1/4W 33800PCS

Producenci: Yageo
Na stanie
RFQ
RSQ020N03TR

RSQ020N03TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSQ025P03TR

RSQ025P03TR

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
EPC2021ENG

EPC2021ENG

Opis: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.