Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RS3E095BNGZETB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4447776

RS3E095BNGZETB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.88
10+
$0.767
100+
$0.592
500+
$0.438
1000+
$0.351
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS3E095BNGZETB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    RS3E095BNGZETBCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RS3E095BNGZETB”.
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.