Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS3DB-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1480027Obraz RS3DB-13.Diodes Incorporated

RS3DB-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS3DB-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    RS3DB-13.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    3A
  • Napięcie - Podział
    SMB
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-214AA, SMB
  • Temperatura pracy - złącze
    150ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    RS3DB-13
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount SMB
  • Diode Configuration
    5µA @ 200V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    200V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RS3DB-13”.
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3BHR7G

RS3BHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS3D-13-F

RS3D-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS3D-13

RS3D-13

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS3D M6G

RS3D M6G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS3D R7G

RS3D R7G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3D V7G

RS3D V7G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.