Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RS1E200BNTB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3945708Obraz RS1E200BNTB.LAPIS Semiconductor

RS1E200BNTB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.217
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1E200BNTB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RS1E200BNTB.pdf
    2.RS1E200BNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-HSOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.9 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    RS1E200BNTBTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    40 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3100pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    59nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RS1E200BNTB”.
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1G

RS1G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.