Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS1DLHRUG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2478129Obraz RS1DLHRUG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRUG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
21600+
$0.049
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1DLHRUG
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RS1DLHRUG.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 800mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    800mA
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RS1DLHRUG”.
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.