Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS1G M2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5301485Obraz RS1G M2G.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1G M2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
15000+
$0.05
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1G M2G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    RS1G M2G-ND
    RS1GM2G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G

RS1G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RS1G-13

RS1G-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1G/1

RS1G/1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G R3G

RS1G R3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść