Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RAQ045P01TCR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6247503Obraz RAQ045P01TCR.LAPIS Semiconductor

RAQ045P01TCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RAQ045P01TCR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RAQ045P01TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    -8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSMT6 (SC-95)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    600mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    RAQ045P01TCRCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4200pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Ta)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RAQ045P01TCR”.
AUIRLR3110Z

AUIRLR3110Z

Opis: MOSFET N-CH 100V 63A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
2SK0615

2SK0615

Opis: MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
FQP9P25

FQP9P25

Opis: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HUFA75345G3

HUFA75345G3

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
JAN2N7236U

JAN2N7236U

Opis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2V7002WT1G

2V7002WT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CPH3461-TL-H

CPH3461-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
RAQ045P01MGTCR

RAQ045P01MGTCR

Opis: 1.5V DRIVE PCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP045N10A

FDP045N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTH110N10L2

IXTH110N10L2

Opis: MOSFET N-CH 100V 110A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRFD9210PBF

IRFD9210PBF

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SPP70N10L

SPP70N10L

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF1010NSTRL

IRF1010NSTRL

Opis: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
MKE38RK600DFELB

MKE38RK600DFELB

Opis: MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRF7451TRPBF

IRF7451TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AO4437L

AO4437L

Opis: MOSFET P-CH 8SOIC

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IRFS7734PBF

IRFS7734PBF

Opis: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
BSZ023N04LSATMA1

BSZ023N04LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.