Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RAL025P01TCR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
131127Obraz RAL025P01TCR.LAPIS Semiconductor

RAL025P01TCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.63
10+
$0.444
100+
$0.292
500+
$0.172
1000+
$0.133
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RAL025P01TCR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RAL025P01TCR.pdf
    2.RAL025P01TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    -8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT6
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    320mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RAL025P01TCRCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2000pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RAL025P01TCR”.
IRF7807VD1

IRF7807VD1

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTH90N15T

IXTH90N15T

Opis: MOSFET N-CH 150V 90A TO247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RAL045P01TCR

RAL045P01TCR

Opis: MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB30N20

NTB30N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB8832-F085

FDB8832-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STD19NF20

STD19NF20

Opis: MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDP12N60NZ

FDP12N60NZ

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVTFS5C471NLWFTAG

NVTFS5C471NLWFTAG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF6100PBF

IRF6100PBF

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTTFS5820NLTWG

NTTFS5820NLTWG

Opis: MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFS3307

IRFS3307

Opis: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
94-4764

94-4764

Opis: MOSFET N-CH 30V 140A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STF20NM60D

STF20NM60D

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IXTC220N075T

IXTC220N075T

Opis: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXTV18N60PS

IXTV18N60PS

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
AOL1208

AOL1208

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.