Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RAL045P01TCR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4284636Obraz RAL045P01TCR.LAPIS Semiconductor

RAL045P01TCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.267
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RAL045P01TCR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RAL045P01TCR.pdf
    2.RAL045P01TCR.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    -8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT6
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4200pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RAL045P01TCR”.
NVATS4A104PZT4G

NVATS4A104PZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTTFS4C58NTWG

NTTFS4C58NTWG

Opis: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFX100N25

IXFX100N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
BSO4410

BSO4410

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS3P03R2G

NTMS3P03R2G

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFX98N50P3

IXFX98N50P3

Opis: MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SPD50N03S207GBTMA1

SPD50N03S207GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
CPH6350-TL-EX

CPH6350-TL-EX

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPI50R399CPXKSA1

IPI50R399CPXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IPP040N06N3GXKSA1

IPP040N06N3GXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFK150N15

IXFK150N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 150A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RAL025P01TCR

RAL025P01TCR

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
WPB4002-1E

WPB4002-1E

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTD32N06LT4G

NTD32N06LT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD60R3K3C6

IPD60R3K3C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
UPA2754GR(0)-E1-AY

UPA2754GR(0)-E1-AY

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.