Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6015ENJTL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4055534Obraz R6015ENJTL.LAPIS Semiconductor

R6015ENJTL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$4.15
10+
$3.702
100+
$3.035
500+
$2.458
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6015ENJTL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 15A LPT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.R6015ENJTL.pdf
    2.R6015ENJTL.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    LPTS (D2PAK)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    40W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    R6015ENJTLDKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    910pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6015ENJTL”.
R6013-00

R6013-00

Opis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Producenci: Harwin
Na stanie
RFQ
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

Opis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Opis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Opis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.