Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6015ANZC8
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
253770Obraz R6015ANZC8.LAPIS Semiconductor

R6015ANZC8

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$5.64
10+
$5.031
100+
$4.126
500+
$3.341
1000+
$2.818
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6015ANZC8
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.15V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3PF
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    300 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    110W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1700pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Opis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6012FNX

R6012FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6015ENX

R6015ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R60200-1CR

R60200-1CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6012ANX

R6012ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6013-00

R6013-00

Opis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Producenci: Harwin
Na stanie
R6015ANX

R6015ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6015FNX

R6015FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6015KNX

R6015KNX

Opis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść