Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R5011ANX
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1507170Obraz R5011ANX.LAPIS Semiconductor

R5011ANX

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.96
10+
$1.74
100+
$1.375
500+
$1.066
1000+
$0.842
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R5011ANX
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 11A TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220FM
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    500 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    50W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    R5011ANXCT
    R5011ANXCT-ND
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 11A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R5011ANX”.
R5011215XXWA

R5011215XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011210XXWA

R5011210XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5016ANX

R5016ANX

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011415XXZT

R5011415XXZT

Opis: RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011415XXWA

R5011415XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011010XXWA

R5011010XXWA

Opis: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5016FNJTL

R5016FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011015XXWA

R5011015XXWA

Opis: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011410XXWA

R5011410XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5013ANJTL

R5013ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5013ANXFU6

R5013ANXFU6

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011610XXWA

R5011610XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.