Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R5016ANJTL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5958742Obraz R5016ANJTL.LAPIS Semiconductor

R5016ANJTL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$2.818
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R5016ANJTL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    R5016ANJTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    LPTS
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    270 mOhm @ 8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    100W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 16A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R5016ANJTL”.
R5011415XXWA

R5011415XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011ANX

R5011ANX

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5020218FSWA

R5020218FSWA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5016ANX

R5016ANX

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5020410RSWA

R5020410RSWA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5020418FSWA

R5020418FSWA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5020413LSWA

R5020413LSWA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5016FNJTL

R5016FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5020213LSWA

R5020213LSWA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5013ANXFU6

R5013ANXFU6

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5013ANJTL

R5013ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5011415XXZT

R5011415XXZT

Opis: RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R5011610XXWA

R5011610XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.