Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > MP6M12TCR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3626623Obraz MP6M12TCR.LAPIS Semiconductor

MP6M12TCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MP6M12TCR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MP6M12TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    MPT6
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    42 mOhm @ 5A, 10V
  • Moc - Max
    2W
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    MP6M12TCRDKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5A
  • Podstawowy numer części
    *M12

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MP6M12TCR”.
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE91A

MP6KE91A

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE82A

MP6KE82A

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.