Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MP6KE91A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6943833

MP6KE91A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MP6KE91A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    86.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    77.8V
  • Napięcie - Podział
    T-18
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    600W
  • Moc - Peak Pulse
    4.8A
  • Polaryzacja
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1086-7150
    1086-7150-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MP6KE91A
  • Opis
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    125V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
MP6KE82A

MP6KE82A

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść