Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTT30N50L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2818506Obraz IXTT30N50L.IXYS Corporation

IXTT30N50L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$11.808
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTT30N50L
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    200 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    400W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    10200pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    240nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 30A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT30N60L2

IXTT30N60L2

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT24P20

IXTT24P20

Opis: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

Opis: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Opis: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Opis: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

Opis: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT40N50L2

IXTT40N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 40A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT36P10

IXTT36P10

Opis: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

Opis: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść