Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTT1N300P3HV
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2128111Obraz IXTT1N300P3HV.IXYS Corporation

IXTT1N300P3HV

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$33.35
30+
$28.348
120+
$26.347
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTT1N300P3HV
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowe zwolnienie / Zgodność z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    50 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    195W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    895pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    3000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 3000V 1A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Opis: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

Opis: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT140P10T

IXTT140P10T

Opis: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT1N100

IXTT1N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

Opis: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT16P60P

IXTT16P60P

Opis: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

Opis: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT16P20

IXTT16P20

Opis: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

Opis: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT24P20

IXTT24P20

Opis: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT170N10P

IXTT170N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Opis: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść