Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTT30N60L2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4665860Obraz IXTT30N60L2.IXYS Corporation

IXTT30N60L2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$16.57
30+
$13.935
120+
$12.805
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTT30N60L2
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXTT30N60L2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    Linear L2™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    240 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    540W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    10700pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    335nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTT30N60L2”.
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

Opis: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT48P20P

IXTT48P20P

Opis: MOSFET P-CH 200V 48A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Opis: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Opis: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Opis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT440N04T4HV

IXTT440N04T4HV

Opis: 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT40N50L2

IXTT40N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 40A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT36P10

IXTT36P10

Opis: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT440N055T2

IXTT440N055T2

Opis: MOSFET N-CH 55V 440A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT24P20

IXTT24P20

Opis: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.