Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFN32N80P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
98512Obraz IXFN32N80P.IXYS

IXFN32N80P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10+
$20.391
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFN32N80P
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFN32N80P.pdf
  • Napięcie - Test
    8820pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    SOT-227B
  • VGS (th) (Max) @ Id
    270 mOhm @ 16A, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    PolarHV™
  • Stan RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    29A
  • Polaryzacja
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Numer części producenta
    IXFN32N80P
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    150nC @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5V @ 8mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 800V 29A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    800V
  • Stosunek pojemności
    625W (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFN32N80P”.
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Opis: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Opis: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Opis: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Opis: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Opis: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Opis: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Opis: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Opis: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.