Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFN340N06
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
240671Obraz IXFN340N06.IXYS Corporation

IXFN340N06

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10+
$35.983
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFN340N06
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    700W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    16800pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    600nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 340A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    340A (Tc)
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN36N100

IXFN36N100

Opis: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN34N80

IXFN34N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Opis: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN340N07

IXFN340N07

Opis: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Opis: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN36N60

IXFN36N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Opis: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Opis: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN32N60

IXFN32N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Opis: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN34N100

IXFN34N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Producenci: IXYS
Na stanie
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść