Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFN210N30P3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3557400Obraz IXFN210N30P3.IXYS Corporation

IXFN210N30P3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$39.68
10+
$36.699
100+
$31.343
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFN210N30P3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    HiPerFET™, Polar3™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    14.5 mOhm @ 105A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1500W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    16200pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    268nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    300V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 300V 192A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    192A (Tc)
IXFN180N20

IXFN180N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Opis: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN180N07

IXFN180N07

Opis: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Opis: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN210N20P

IXFN210N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN24N100

IXFN24N100

Opis: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN180N10

IXFN180N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Opis: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN23N100

IXFN23N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN20N120P

IXFN20N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Opis: FET N-CHANNEL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN20N120

IXFN20N120

Opis: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN230N10

IXFN230N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Opis: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Producenci: IXYS
Na stanie
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Opis: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Producenci: IXYS RF
Na stanie
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXFN200N07

IXFN200N07

Opis: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść