Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFN24N100
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2048771Obraz IXFN24N100.IXYS Corporation

IXFN24N100

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$33.86
10+
$31.321
30+
$28.781
100+
$26.749
250+
$24.549
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFN24N100
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFN24N100.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    390 mOhm @ 12A, 10V
  • Strata mocy (max)
    568W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8700pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    267nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 24A (Tc) 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFN24N100”.
IXFN230N10

IXFN230N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Opis: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Opis: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Opis: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Opis: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Opis: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Opis: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Opis: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN210N20P

IXFN210N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Opis: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Opis: FET N-CHANNEL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.