Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFN200N07
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2613541Obraz IXFN200N07.IXYS Corporation

IXFN200N07

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$26.02
10+
$24.069
30+
$22.117
100+
$20.556
250+
$18.865
500+
$17.954
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFN200N07
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFN200N07.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6 mOhm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    520W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    480nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    70V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 70V 200A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFN200N07”.
IXFN180N20

IXFN180N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Producenci: IXYS
Na stanie
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Opis: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN210N20P

IXFN210N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Opis: FET N-CHANNEL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN180N10

IXFN180N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN170N10

IXFN170N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Opis: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN20N120P

IXFN20N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

Opis: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN20N120

IXFN20N120

Opis: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN170N30P

IXFN170N30P

Opis: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN160N30T

IXFN160N30T

Opis: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Opis: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Opis: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.