Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > IXBR42N170
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2119537Obraz IXBR42N170.IXYS Corporation

IXBR42N170

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$32.844
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXBR42N170
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXBR42N170.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1700V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.9V @ 15V, 42A
  • Stan testu
    -
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    -
  • Przełączanie Energy
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOPLUS247™
  • Seria
    BIMOSFET™
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.32µs
  • Moc - Max
    200W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    ISOPLUS247™
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • brama Charge
    188nC
  • szczegółowy opis
    IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    300A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    57A
  • Podstawowy numer części
    IXB*42N170

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXBR42N170”.
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

Opis: IGBT 3600V 70A TO-268HV

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

Opis: THYRISTOR RADIAL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT2N250

IXBT2N250

Opis: IGBT 2500V 5A 32W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-08

IXBOD2-08

Opis: BREAKOVER DIODE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

Opis: IGBT 1700V 60A 250W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-10

IXBOD2-10

Opis: BREAKOVER DIODE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-12

IXBOD2-12

Opis: BREAKOVER DIODE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

Opis: IGBT 1700V 16A 150W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

Opis: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

Opis: IGBT

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

Opis: THYRISTOR RADIAL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-11

IXBOD2-11

Opis: BREAKOVER DIODE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

Opis: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-09

IXBOD2-09

Opis: BREAKOVER DIODE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT10N170

IXBT10N170

Opis: IGBT 1700V 20A 140W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

Opis: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBP5N160G

IXBP5N160G

Opis: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

Opis: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

Opis: THYRISTOR RADIAL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

Opis: BREAKOVER DIODE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.