Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > IXBT16N170AHV
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3886641

IXBT16N170AHV

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$11.558
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXBT16N170AHV
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    IXBT16N170AHV.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1700V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    6V @ 15V, 10A
  • Stan testu
    1360V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    15ns/250ns
  • Przełączanie Energy
    2.5mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268HV
  • Seria
    BIMOSFET™
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Moc - Max
    150W
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • brama Charge
    65nC
  • szczegółowy opis
    IGBT 1700V 16A 150W Surface Mount TO-268HV
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    40A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    16A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXBT16N170AHV”.
IXBP5N160G

IXBP5N160G

Opis: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT2N250

IXBT2N250

Opis: IGBT 2500V 5A 32W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT32N300HV

IXBT32N300HV

Opis: IGBT 3000V 80A 400W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT42N170A

IXBT42N170A

Opis: IGBT 1700V 42A 357W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

Opis: IGBT 3600V 70A TO-268HV

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

Opis: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

Opis: THYRISTOR RADIAL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

Opis: IGBT 1700V 60A 250W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT42N170

IXBT42N170

Opis: IGBT 1700V 80A 360W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

Opis: THYRISTOR RADIAL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT42N300HV

IXBT42N300HV

Opis: IGBT 3000V 42A 357W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

Opis: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

Opis: THYRISTOR RADIAL

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

Opis: IGBT 1700V 16A 150W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBR42N170

IXBR42N170

Opis: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

Opis: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT32N300

IXBT32N300

Opis: IGBT 3000V 80A 400W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

Opis: BREAKOVER DIODE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT10N170

IXBT10N170

Opis: IGBT 1700V 20A 140W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

Opis: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.