Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > GP2M009A090NG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
788343Obraz GP2M009A090NG.Global Power Technologies Group

GP2M009A090NG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GP2M009A090NG
  • Producent / marka
    SemiQ
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GP2M009A090NG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3PN
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    312W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2740pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 900V 9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GP2M009A090NG”.
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Opis: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Opis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M007A080F

GP2M007A080F

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

Opis: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.