Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > GP2M007A080F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2821747Obraz GP2M007A080F.Global Power Technologies Group

GP2M007A080F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GP2M007A080F
  • Producent / marka
    SemiQ
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GP2M007A080F.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220F
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    50W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    1560-1203-1
    1560-1203-1-ND
    1560-1203-5
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1410pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GP2M007A080F”.
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

Opis: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A050HG

GP2M005A050HG

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A060FG

GP2M005A060FG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.