Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > MURTA20060

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

194964

Obraz MURTA20060.

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

18+

$79.682

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

MURTA20060
Producent / marka

GeneSiC Semiconductor
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

MURTA20060.pdf
Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli

1.7V @ 100A
Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)

600V
Dostawca urządzeń Pakiet

Three Tower
Prędkość

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Seria

-
Opakowania

Bulk
Package / Case

Three Tower
Temperatura pracy - złącze

-55°C ~ 150°C
Rodzaj mocowania

Chassis Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

4 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Typ diody

Standard
Diode Configuration

1 Pair Common Cathode
szczegółowy opis

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A Chassis Mount Three Tower
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr

25µA @ 600V
Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)

100A

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „MURTA20060”.

MURTA20020R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA20060R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA300120

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA30040

Opis: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA20040

Opis: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA30020

Opis: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURT40060R

Opis: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA300120R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA20020

Opis: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA30040R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA30060

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA200120R

Opis: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA400120

Opis: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA30020R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURT40040R

Opis: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA30060R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA20040R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURT40060

Opis: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURT40040

Opis: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

MURTA200120

Opis: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.