Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > MURTA30060R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4369515Obraz MURTA30060R.GeneSiC Semiconductor

MURTA30060R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
18+
$79.682
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MURTA30060R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 150A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Three Tower
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Three Tower
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • Diode Configuration
    1 Pair Common Anode
  • szczegółowy opis
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 150A Chassis Mount Three Tower
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    150A
MURTA40040

MURTA40040

Opis: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA400120R

MURTA400120R

Opis: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA500120R

MURTA500120R

Opis: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA300120

MURTA300120

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20060R

MURTA20060R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA500120

MURTA500120

Opis: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20060

MURTA20060

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA40040R

MURTA40040R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA40060R

MURTA40060R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA30040R

MURTA30040R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA30040

MURTA30040

Opis: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA40020

MURTA40020

Opis: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA30020R

MURTA30020R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA30060

MURTA30060

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA30020

MURTA30020

Opis: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA300120R

MURTA300120R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA40060

MURTA40060

Opis: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20040R

MURTA20040R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA400120

MURTA400120

Opis: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA40020R

MURTA40020R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść