Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > MURT40060R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4034803Obraz MURT40060R.GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
25+
$73.548
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MURT40060R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 200A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Three Tower
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    240ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Three Tower
  • Inne nazwy
    MURT40060RGN
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • Diode Configuration
    1 Pair Common Anode
  • szczegółowy opis
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    400A (DC)
MURTA20020R

MURTA20020R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20060

MURTA20060

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40040

MURT40040

Opis: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA200120R

MURTA200120R

Opis: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40020

MURT40020

Opis: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40010R

MURT40010R

Opis: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA200120

MURTA200120

Opis: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA300120R

MURTA300120R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40020R

MURT40020R

Opis: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40040R

MURT40040R

Opis: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40010

MURT40010

Opis: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40005

MURT40005

Opis: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20020

MURTA20020

Opis: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40005R

MURT40005R

Opis: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20060R

MURTA20060R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20040R

MURTA20040R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA20040

MURTA20040

Opis: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURTA300120

MURTA300120

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT40060

MURT40060

Opis: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
MURT30060R

MURT30060R

Opis: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść