Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N3891R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1704327

1N3891R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$4.141
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N3891R
  • Producent / marka
    GeneSiC Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.1N3891R.pdf
    2.1N3891R.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    12A
  • Napięcie - Podział
    DO-4
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    1N3891RGN
  • Temperatura pracy - złącze
    200ns
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Numer części producenta
    1N3891R
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard, Reverse Polarity 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diode Configuration
    25µA @ 50V
  • Opis
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.4V @ 12A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    200V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N3891R”.
1N3889R

1N3889R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3893

1N3893

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3892R

1N3892R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3892AR

1N3892AR

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3891R

1N3891R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3889R

1N3889R

Opis: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3892

1N3892

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3890AR

1N3890AR

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3890A

1N3890A

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3891

1N3891

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3892

1N3892

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3893AR

1N3893AR

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3892R

1N3892R

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3891AR

1N3891AR

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3892A

1N3892A

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3890

1N3890

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3890

1N3890

Opis: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3891A

1N3891A

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3893A

1N3893A

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3890R

1N3890R

Opis: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.