Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N3890
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6453807

1N3890

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$4.39
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N3890
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    12A
  • Napięcie - Podział
    DO-4
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    1N3890GN
  • Temperatura pracy - złącze
    200ns
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Numer części producenta
    1N3890
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diode Configuration
    25µA @ 50V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.4V @ 12A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    100V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C
1N3891A

1N3891A

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3883R

1N3883R

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3883

1N3883

Opis: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3890R

1N3890R

Opis: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3890A

1N3890A

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3889R

1N3889R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3891AR

1N3891AR

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3883

1N3883

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3882R

1N3882R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3890AR

1N3890AR

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3891R

1N3891R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3892

1N3892

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3892

1N3892

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3891

1N3891

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3889R

1N3889R

Opis: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3890

1N3890

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3883R

1N3883R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N3889

1N3889

Opis: DIODE GEN PURP 50V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3891R

1N3891R

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N3889

1N3889

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść