Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD5N15TM
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3489146Obraz FQD5N15TM.Fairchild/ON Semiconductor

FQD5N15TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.222
5000+
$0.208
12500+
$0.193
25000+
$0.183
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD5N15TM
  • Producent / marka
    Fairchild (onsemi)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQD5N15TM.pdf
    2.FQD5N15TM.pdf
  • Napięcie - Test
    230pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    D-Pak
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800 mOhm @ 2.15A, 10V
  • Vgs (maks.)
    10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    QFET®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.3A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FQD5N15TM-ND
    FQD5N15TMTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Numer części producenta
    FQD5N15TM
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 150V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    150V
  • Stosunek pojemności
    2.5W (Ta), 30W (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD5N15TM”.
FQD5N20TF

FQD5N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4N50TM

FQD4N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N30TM

FQD5N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N30TF

FQD5N30TF

Opis: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N40TF

FQD5N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P25TM

FQD4P25TM

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P25TM-WS

FQD4P25TM-WS

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTM

FQD5N50CTM

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P40TM-AM002

FQD4P40TM-AM002

Opis: MOSFET P-CH 400V 2.7A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P40TM

FQD4P40TM

Opis: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P40TF

FQD4P40TF

Opis: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N40TM

FQD5N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N20LTM

FQD5N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTM_F080

FQD5N50CTM_F080

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P25TF

FQD4P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4N50TF

FQD4N50TF

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N15TF

FQD5N15TF

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTF

FQD5N50CTF

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4N50TM_WS

FQD4N50TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N20LTF

FQD5N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.