Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD5N20LTF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5763075

FQD5N20LTF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD5N20LTF
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQD5N20LTF.pdf
    2.FQD5N20LTF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-Pak
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 37W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    325pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.2nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 3.8A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.8A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD5N20LTF”.
FQD5N50CTM

FQD5N50CTM

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4N50TM_WS

FQD4N50TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N20LTM

FQD5N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4N50TM

FQD4N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50TF

FQD5N50TF

Opis: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P40TM-AM002

FQD4P40TM-AM002

Opis: MOSFET P-CH 400V 2.7A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N30TM

FQD5N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N15TF

FQD5N15TF

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P25TM-WS

FQD4P25TM-WS

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N30TF

FQD5N30TF

Opis: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N40TF

FQD5N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P40TM

FQD4P40TM

Opis: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N15TM

FQD5N15TM

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTM_F080

FQD5N50CTM_F080

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P25TF

FQD4P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N20TF

FQD5N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N40TM

FQD5N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P40TF

FQD4P40TF

Opis: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTF

FQD5N50CTF

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P25TM

FQD4P25TM

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.